SMMBF4393LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
SMMBF4393LT1G.pdf

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Verpackung

Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id:	3V @ 10nA
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS):	30V
Supplier Device-Gehäuse:	SOT-23-3
Serie:	-
Resistance - RDS (on):	100 Ohm
Leistung - max:	225mW
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	14pF @ 15V (VGS)
Typ FET:	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):	30V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):	30mA @ 15V