ALD1105PBL

Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
ALD1105PBL.pdf

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Preis
1	$2.96
10	$2.675
25	$2.389
100	$2.15
250	$1.911
500	$1.672
1000	$1.385
2500	$1.29

Spezifikation
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Verpackung

VGS (th) (Max) @ Id:	1V @ 1µA
Supplier Device-Gehäuse:	14-PDIP
Serie:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	500 Ohm @ 5V
Leistung - max:	500mW
Verpackung:	Tube
Verpackung / Gehäuse:	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	3pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	-
Typ FET:	2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET-Merkmal:	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):	10.6V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	-