DMN10H700S-13

Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
DMN10H700S-13.pdf

Teil # DMN10H700S-13 ist verfügbar, siehe Beschreibung von DMN10H700S-13 unten.
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VGS (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:	SOT-23
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	700 mOhm @ 1.5A, 10V
Leistung - max:	400mW
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	235pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	4.6nC @ 10V
Typ FET:	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET-Merkmal:	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):	100V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	700mA (Ta)