DMP6185SEQ-13

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Verpackung

VGS (th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:	SOT-223
Serie:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	150 mOhm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (max):	2.2W (Ta)
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:	16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	708pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	14nC @ 10V
Typ FET:	P-Channel
FET-Merkmal:	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):	60V
detaillierte Beschreibung:	P-Channel 60V 3A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	3A (Ta)

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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