FDR8508P

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
FDR8508P.pdf

Teil # FDR8508P ist verfügbar, siehe Beschreibung von FDR8508P unten.
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VGS (th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:	SuperSOT™-8
Serie:	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	52 mOhm @ 3A, 10V
Leistung - max:	800mW
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	8-SMD, Gull Wing
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	750pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	12nC @ 5V
Typ FET:	2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	3A

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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