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Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id: | 300mV @ 10nA |
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Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS): | 40V |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Resistance - RDS (on): | - |
Leistung - max: | 625mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Typ FET: | N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0): | 200µA @ 20V |