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TIS75_J35Z

Teil Nr. TIS75_J35Z Ist dies ein häufig verwendetes Teil? : Ja
Versand ab: Lager in Hongkong oder Singapur
Das gleiche Modell kann mehrere Chargen enthalten. Die Bilder dienen nur als Referenz.
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Bemerkung/Erläuterung

Einkaufsprozess

Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 4nA
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS):30V
Supplier Device-Gehäuse:TO-92-3
Serie:-
Resistance - RDS (on):60 Ohm
Leistung - max:350mW
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:18pF @ 10V (VGS)
Typ FET:N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):-
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):8mA @ 15V


Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.
Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.
Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.