IRF7338PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
IRF7338PBF.pdf

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Verpackung

VGS (th) (Max) @ Id:	1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:	8-SO
Serie:	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	34 mOhm @ 6A, 4.5V
Leistung - max:	2W
Verpackung:	Tube
Verpackung / Gehäuse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	640pF @ 9V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	8.6nC @ 4.5V
Typ FET:	N and P-Channel
FET-Merkmal:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):	12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	6.3A, 3A