MX2N5116

Microsemi
N CHANNEL JFET
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Diskrete Halbleiterprodukte
MX2N5116.pdf

Teil # MX2N5116 ist verfügbar, siehe Beschreibung von MX2N5116 unten.
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Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id:	4V @ 1nA
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS):	30V
Supplier Device-Gehäuse:	TO-18
Serie:	Military, MIL-PRF-19500
Resistance - RDS (on):	175 Ohm
Leistung - max:	500mW
Verpackung:	Bulk
Verpackung / Gehäuse:	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	27pF @ 15V
Typ FET:	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):	30V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):	25mA @ 15V

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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