STW11NB80

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Diskrete Halbleiterprodukte
STW11NB80.pdf

Teil # STW11NB80 ist verfügbar, siehe Beschreibung von STW11NB80 unten.
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VGS (th) (Max) @ Id:	5V @ 250µA
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:	TO-247-3
Serie:	PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	800 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max):	190W (Tc)
Verpackung:	Tube
Verpackung / Gehäuse:	TO-247-3
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	70nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET-Merkmal:	-
Drain-Source-Spannung (Vdss):	800V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	11A (Tc)