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SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3
Wir können Vishay / Siliconix SI5509DC-T1-E3 liefern, verwenden Sie das Anfrage-Angebotsformular, um SI5509DC-T1-E3 pirce, Vishay / Siliconix Datenblatt PDF und Vorlaufzeit anzufragen.Zeanoit.com ist ein professioneller Vertriebshändler für elektronische Komponenten. Mit 3+ Millionen Werbebuchungen von verfügbaren elektronischen Komponenten können in kurzer Lieferzeit, über 250 Tausend Teilenummern von elektronischen Komponenten auf Lager für sofortige Lieferung, die Teilnummer SI5509DC-T1-E3 enthalten können. Der Preis und Vorlaufzeit für SI5509DC-T1-E3 je nach Menge erforderlich, Verfügbarkeit und Lagerort.

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Bemerkung/Erläuterung

Einkaufsprozess

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 5A, 4.5V
Leistung - max:4.5W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 5V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6.1A, 4.8A


Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.
Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.
Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.