SST4119-T1-E3

Vishay / Siliconix
JFET N-CH 70V 200UA SOT-23
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
SST4119-T1-E3.pdf

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Spezifikation
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Verpackung

Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id:	2V @ 1nA
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS):	40V
Supplier Device-Gehäuse:	TO-236
Serie:	-
Resistance - RDS (on):	-
Leistung - max:	350mW
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	3pF @ 10V
Typ FET:	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):	-
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):	200µA @ 10V