MMBFJ177LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Diskrete Halbleiterprodukte
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Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id:	800mV @ 10nA
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS):	30V
Supplier Device-Gehäuse:	SOT-23-3 (TO-236)
Serie:	-
Resistance - RDS (on):	300 Ohm
Leistung - max:	225mW
Verpackung:	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	11pF @ 10V (VGS)
Typ FET:	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):	-
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):	1.5mA @ 15V

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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