NVMFS5C628NLWFT1G

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VGS (th) (Max) @ Id:	2V @ 135µA
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	2.4 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max):	3.7W (Ta), 110W (Tc)
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	8-PowerTDFN
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	3600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	52nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET-Merkmal:	-
Drain-Source-Spannung (Vdss):	60V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	-