ALD210800PCL

Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
ALD210800PCL.pdf

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VGS (th) (Max) @ Id:	20mV @ 10µA
Supplier Device-Gehäuse:	16-PDIP
Serie:	EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	25 Ohm
Leistung - max:	500mW
Verpackung:	Tube
Verpackung / Gehäuse:	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	15pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	-
Typ FET:	4 N-Channel, Matched Pair
FET-Merkmal:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):	10.6V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	80mA