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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DDTA123TE-7-F

DDTA123TE-7-F

DDTA123TE-7-F
Preis:
US$ 0.063
Menge:
Teil Nr. DDTA123TE-7-F Ist dies ein häufig verwendetes Teil? : Ja
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Das gleiche Modell kann mehrere Chargen enthalten. Die Bilder dienen nur als Referenz.
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Minimum:1
Vielfache:1
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Bemerkung/Erläuterung

Einkaufsprozess

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SOT-523
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):-
Widerstand - Base (R1) (Ohm):2.2k
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-523
Befestigungsart:Surface Mount
Frequenz - Übergang:250MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA


Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.
Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.
Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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