SiZ328DT-T1-GE3

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VGS (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:	8-Power33 (3x3)
Serie:	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Leistung - max:	2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Verpackung:	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:	8-PowerWDFN
Andere Namen:	SIZ328DT-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):	25V
detaillierte Beschreibung:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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