IXFH76N15T2

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VGS (th) (Max) @ Id:	4.5V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:	TO-247
Serie:	HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	22 mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max):	350W (Tc)
Verpackung / Gehäuse:	TO-247-3
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit:	24 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	5800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	97nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET-Merkmal:	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):	150V
detaillierte Beschreibung:	N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	76A (Tc)

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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