IXFV96N15P

IXYS Corporation
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
IXFV96N15P.pdf

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Spezifikation
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Verpackung

VGS (th) (Max) @ Id:	5V @ 4mA
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:	PLUS220
Serie:	PolarHT™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	24 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):	480W (Tc)
Verpackung:	Bulk
Verpackung / Gehäuse:	TO-220-3, Short Tab
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	110nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
FET-Merkmal:	-
Drain-Source-Spannung (Vdss):	150V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	96A (Tc)