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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > BSO330N02KGFUMA1

BSO330N02KGFUMA1

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Einkaufsprozess

VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse:PG-DSO-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Leistung - max:1.4W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:730pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5.4A


Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.
Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.
Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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