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IPD50R3K0CEBTMA1

IPD50R3K0CEBTMA1
Preis:
US$ 0.17
Menge:
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Minimum:1
Vielfache:1
Manufacturer lead time 10 weeks
Preis
2500 $0.169
5000 $0.158
12500 $0.148
25000 $0.14
62500 $0.137
Artikelnummer
Menge
Unternehmen
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Bemerkung/Erläuterung

Einkaufsprozess

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 30µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 400mA, 13V
Verlustleistung (max):18W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:84pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):13V
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.7A (Tc)


Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.
Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.
Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.