IRF7341QTRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
IRF7341QTRPBF.pdf

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VGS (th) (Max) @ Id:	1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:	8-SO
Serie:	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	50 mOhm @ 5.1A, 10V
Leistung - max:	2.4W
Verpackung:	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	44nC @ 10V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):	55V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	5.1A

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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