UM6J1NTN

LAPIS Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
UM6J1NTN.pdf

Teil # UM6J1NTN ist verfügbar, siehe Beschreibung von UM6J1NTN unten.
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15000	$0.134
30000	$0.123

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VGS (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:	UMT6
Serie:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Leistung - max:	150mW
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	30pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	-
Typ FET:	2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	200mA

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Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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