APTM50DDAM65T3G

Microsemi
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
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VGS (th) (Max) @ Id:	5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse:	SP3
Serie:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	78 mOhm @ 25.5A, 10V
Leistung - max:	390W
Verpackung:	Bulk
Verpackung / Gehäuse:	SP3
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	140nC @ 10V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):	500V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	51A

Wenn Sie falsche Compnents haben, die nicht bestellt haben. Wir werden recherchieren, wer die Verantwortung über das Problem übernimmt.

Wenn es sich handelt, liefern wir die richtigen Kompnents für Austauschgüter, nachdem wir falsche Kompnents zurückgesandt haben.

Wenn es Ihnen gehört, übernimmt der Kunde die Verantwortung. Für Details wenden Sie sich bitte an unseren Kundenservice oder unseren Verkauf.

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