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UP04314G0L

UP04314G0L
Preis:
US$ 0.2
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Bemerkung/Erläuterung

Einkaufsprozess

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:SSMini6-F2
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):10k
Leistung - max:125mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Befestigungsart:Surface Mount
Frequenz - Übergang:150MHz, 80MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA


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