SIF912EDZ-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Bleifrei / RoHS-konform
Diskrete Halbleiterprodukte
SIF912EDZ-T1-E3.pdf

Teil # SIF912EDZ-T1-E3 ist verfügbar, siehe Beschreibung von SIF912EDZ-T1-E3 unten.
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VGS (th) (Max) @ Id:	1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:	PowerPAK® (2x5)
Serie:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Leistung - max:	1.6W
Verpackung:	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:	PowerPAK® 2x5
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	15nC @ 4.5V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:	7.4A